Electronics Renesas正在推出Gen 4+超级GAN平台，镀具有650 V和30 EnshysioHm的镀耐加仑设备，用于高功率应用。该发布代表了收购转型及其与控制器和IC产品系列的集成后，对GAN技术的持续投资。与之前的35千分之二相比，Gen 4+平台的RDS和芯片的大小减少了14％，从而降低了直接成本。质量因子提高了50％，质量输出因子的提高超过20％。在比较测试中，与主要MOSFETT和碳化硅JFET相比，4 kW功率应用中的电子肾上腺素下降了10-30％。 Primit Parikh解释说：“任何频率，GAN的损失都比碳化硅较低。” “此差距扩展到来自100 kHz范围的较高频率。”当被问及与其他GAN提供商的共享竞争时，Parikh指出了D. D. D.传统建筑的优势。硅电源设备已在电源转换应用中达到了物理限制。帕里夫解释说：“这是摩尔的权力法，随着时间的推移，力量的密度也会增加。” “武器在硅停滞的地方脱下。”该平台针对基础架构，服务器，数据中心喂养源，UPS系统，电池能量存储，电动汽车和太阳能投资者加载基础架构。这些应用需要更高的效率和传统硅无法提供的紧凑因素。 Electronics Renesas与加利福尼亚，日本和台湾的地理多样化的制造行业保持垂直整合。帕里夫说：“正如我们的意思是，对于氮化甲酯，这一过程是产品的一部分。”该公司在8英寸处将其扩展到6英寸，仔细评估未来的过渡。 “当您从8英寸到12英寸时，您将从多个芯片反应堆移动到单个芯片反应堆。”付款并不小。” Parif用问题和答案解释说。通过暂时停止碳化硅的发展，尊重1200V GAN的发展。各种应用程序，包括服务器电源，工业UPS的Sistemas，太阳能微型媒体以及超过3150亿小时的范围。但是，帕里夫（Parif）承认：“截至今天，大多数gan配件都在装载机和低功率适配器的市场上”，在增长的早期阶段采用了更大的能源。